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CasaProdottiModulo laser diodo 808nm

808nm 8W Laser Diode K81D14C-8.00W-FS

Porcellana  di buona qualità  Modulo laser blu on sales
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808nm 8W Laser Diode K81D14C-8.00W-FS

Grande immagine : 808nm 8W Laser Diode K81D14C-8.00W-FS

Dettagli:

Certificazione:ISO9001
Nome del marchio:BWT
Numero di modello:K81D14C-8.00W-FS
Luogo di origine:Pechino, Cina (continente)

Termini di pagamento e spedizione:

Condizioni di pagamento:T/T
Tempi di consegna:4-otto settimane
Quantità minima:1 Piece / Pieces
Capacità di fornitura:100.000/anno
Descrizione di prodotto dettagliata

 

 

Di laser a semiconduttore delle caratteristiche fondamentali 808nm K81D14C-8.00W-FS:

  • potere dell'uscita 8W
  • Accoppiamento standard della fibra per la fibra del centro di 200μm
  • lunghezza d'onda 808nm 
  • 650nm che mira fascio
  • Opzione del cliente:
    Sensore della fibra
    Circuito di controllo di potenza costante all'interno
     

Di laser a semiconduttore di applicazioni 808nm K81D14C-8.00W-FS:

  • Pompaggio di laser
  • Uso medico
  • Elaborazione materiale

 

Specifiche (25℃)

Simbolo

Unità

K81D14C-

2.00W-FS

K81D14C-

4.00W-FS

K81D14C-

8.00W-FS

Dati ottici

potere dell'CW-uscita

Po

W

2

4

8

Lunghezza d'onda concentrare

lc

nanometro

808

Tolleranza della l

-

nanometro

±3, ±10

Larghezza spettrale (FWHM)

△l

nanometro

<3

Direzione di temperatura della l

-

nm/℃

~0.3

Dati del connettore

Progettato per il diametro di centro della fibra

Wc

µm

200

Progettato per l'apertura numerica della fibra

Na

-

0.22

Connettore della fibra

-

-

SMA-905

Dati elettrici

Corrente di funzionamento

Iop

A

2.5

5.0

10.0

Corrente della soglia

Ith

A

0.4

0.8

1.5

Efficienza di conversione

η

%

35~45

Efficienza del pendio

ηD

W/A

0.8~1.0

Tensione di funzionamento

Vop

V

1.8

2.1

2.2

Tensione d'inversione

Vre

V

2

Dati del palladio

Corrente

Imo

mA

0.10~2.00

Dati TECNICI

Corrente massima

Esso

A

4.0

4.0

6.0

Tensione massima

VT

V

9.8

Dati del termistore (1)

Termistore

Rt

(K Ω)/Β (25℃)

10±5%∕3477

Tendenza dei dati del fascio

Potere dell'uscita

PA

Mw

>2

Lunghezza d'onda

La

nanometro

650±10

Tensione

Va

V

2.2 (2)

Corrente

Ia

mA

<30

Altri

Temperatura di funzionamento

Parte superiore

10~30

Temperatura di immagazzinaggio

Prova

-20~+80

Corso della vita

MTTF

h

>10, 000

Dimensioni

(fibra e connettore non inclusi)

-

millimetro

44.5×31.8×18.0

Temperatura di saldatura del cavo

Tis

         ℃

260 (sec 10.)

  1. RT=R0·exp (β (1/T-1/T0)), (T0=25℃=298K).
  2. Con un circuito di potenza costante all'interno.

Dettagli di contatto
BWT Beijing Ltd

Persona di contatto: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681053

Fax:86-10-83682949

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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