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CasaProdottiModulo laser diodo 808nm

808nm Laser Diode K81SABC-30.00W

Porcellana  di buona qualità  Modulo laser blu on sales
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808nm Laser Diode K81SABC-30.00W

Grande immagine : 808nm Laser Diode K81SABC-30.00W

Dettagli:

Certificazione:ISO9001
Marca:BWT
Numero di modello:K81DA4C-30.00W-FS
Luogo di origine:Pechino, Cina (continente)

Termini di pagamento e spedizione:

Termini di pagamento:T / T
Termine di consegna:4-otto settimane
Quantità di ordine minimo:1 Piece / Pieces
Capacità di fornitura:100.000/anno
Descrizione di prodotto dettagliata

Caratteristiche fondamentali di di laser a semiconduttore 808nm K81SABC-30.00W:

  • potere dell'uscita 30W
  • fibra detechable di 400μm
  • 0.22NA
  • lunghezza d'onda 808nm
  • Pacchetto compatto

Opzioni di di laser a semiconduttore 808nm K81SABC-30.00W:

  • Pompaggio di laser semi conduttore

 

Specifiche (25℃)

Simbolo

Unità

K81SABC-15.00W

K81SABC-30.00W

Dati ottici

potere dell'CW-uscita

Po

W

15

30

Lunghezza d'onda concentrare

lc

nanometro

808

Tolleranza della l

-

nanometro

±3

Larghezza spettrale (FWHM)

△l

nanometro

<3

Direzione di temperatura della l

-

nm/℃

~0.3

Dati del connettore

Progettato per il diametro di centro della fibra

Wc

µm

400

Progettato per l'apertura numerica della fibra

Na

-

0.22

Connettore della fibra

-

-

SMA-905

Dati elettrici

Corrente di funzionamento

Iop

A

9

9.5

Corrente della soglia

Ith

A

1.2

1.2

Efficienza di conversione

η

%

44

40

Efficienza del pendio

ηD

W/A

1.9

3.6

Tensione di funzionamento

Vop

V

3.8

7.8

Tensione d'inversione

Vre

V

4

8

 

Altri

Temperatura di funzionamento

Parte superiore

10~30

Temperatura di immagazzinaggio

Prova

-20~80

Corso della vita

MTTF

h

>10, 000

Dimensioni

-

millimetro

~44.5×31.8×18.0

Temperatura di saldatura del cavo

Tis

260 (sec 10.)

 

Dettagli di contatto
BWT Beijing Ltd

Persona di contatto: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681053

Fax:86-10-83682949

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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